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碳基集成电路可能会成为一个重要的发展趋势。技术创新。与以往相比,当前硅基CMOS技术面临着许多前所未有的重大挑战。从28nm向22nm,甚至更小特征尺寸过渡时,平面MOSFET被立体的FinFET所替代。
在滤波电路中,电容的耐压值不要小于交流有效值的1.42倍。因此放电回路的阻抗,补充能量的效果也。 特点二:额定的容量可g做到非常大,可以轻易做到几万μf甚至几f。 电解电容器特点二:额定的容量可以做到非常大,可以轻易做到几万μf甚至几f。