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美军标元器件的质量分级如表2所示。 表2美军标元器件质量分级 从1994年6月美国宣布对军用标准实行改革以来，表2中涉及的美军标中，MIL-M-38510已并入MIL-I-38535，而且都已改成性能规范（规范代号的字母改为MIL-PRF-，以后的数字不变，如MIL-PRF-38535C），内容也有较大的变化，例如采用统计过程控制（SPC）技术后，原来军用规范规定要做的筛选项目，允许减少甚至可以全部免除。

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1950年，具有使用价值的早的锗合金型晶体管诞生。1954年，结型硅晶体管诞生。此后，人们提出了场效应晶体管的构想。随着无缺陷结晶和缺陷控制等材料技术、晶体外诞生长技术和扩散掺杂技术、耐压氧化膜的制备技术、腐蚀和光刻技术的出现和发展，各种性能优良的电子器件相继出现，电子元器件逐步从真空管时代进入晶体管时代和大规模、超大规模集成电路时代。

【展会地点】印度 新德里